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据《日本经济新闻》7月8日报导，我国半导体巨子正在提高人工智能（AI）存储器的产能。长鑫存储公司和长江存储公司都在建造新工厂，估计从2027年起，产能有望到达现有水平的两倍以上，从而为公司可以带来更多商机。
长鑫存储首要是做用于暂时数据存储的动态随机存取存储器（DRAM）和HBM（一种由DRAM堆叠而成的高性能存储器）的出产。据业内人士泄漏，HBM现在在长鑫存储安徽合肥的一家工厂出产，正在上海建造的新工厂方案从2027年起正式投产。跟着新工厂投入运营，该公司的全体产能将到达现有水平的两倍以上。
长江存储首要出产用于长时刻承载数据的NAND闪存和固态硬盘（SSD），NAND闪存是SSD的首要组件。该公司正在湖北武汉建造第三家工厂，力求将量产时刻从原定的2027年提早至2026年末。此外，该公司还方案建造两家工厂，估计一切工厂投产后，产能也将扩展至现有水平的两倍以上。
部分观念以为，长鑫存储和长江存储两家企业的增产尽力将有利于按捺全球内存价格飙升的气势。香港媒体剖析指出：“工厂将在2027年下半年会集投产，到时供需有望再次趋于平衡，大概率将完结此轮价格继续上涨。”
另据我国新闻媒体报导，香港“比照法”技术市场研讨公司的计算多个方面数据显现，长鑫存储在2026年第一季度的全球DRAM市场占有率（按价值计）较去年同期扩展5个百分点，到达8%；同期长江存储的NAND闪存全球市场占有率（按价值计）也较去年扩展5个百分点，到达13%。
美国政府对我国半导体工业的开展益发警觉。一名我国半导体职业从业者指出，“美国的监管办法短期内会减缓这两家公司的增加”，但他一起以为，“从长远看，这些办法反而会强大我国的半导体企业”。（编译/刘林）
